近日，北方华创正式面向全球市场推出第三代12英寸全石英立式氮化硅低压化学气相沉积（LPCVD）设备SICRIUS SN302D Ⅱ。该设备基于全石英腔体架构与智能化温控技术，旨在解决高温工艺中金属污染控制及膜厚均匀性依赖人工经验调整等长期存在的行业痛点，进一步拓展公司在高端薄膜沉积装备领域的产品布局。

　　炉管是芯片制造的核心高温热处理设备，管式LPCVD依靠低压高温环境在晶圆表面用于沉积氧化硅、氮化硅等关键介质薄膜，是存储和功率器件制造中必不可少的工艺环节。此类设备在国内市场需求旺盛的同时，技术壁垒较高，行业长期面临高温工艺下金属杂质析出、膜厚均匀性依赖工程师反复调参等难题。

　　据介绍，SICRIUS SN302D Ⅱ在全石英腔体架构下，从根源上阻断金属污染源，显著提升工艺洁净度。在温控环节，设备通过在线热场仿真自主演算工艺温控曲线，调节硅片表面反应温度，以算法替代传统人工经验调参模式，保证工艺一致性和薄膜均匀性。该设备广泛适配先进逻辑、存储、功率器件、第三代半导体、先进封装及硅光集成等多元应用场景，可覆盖不同技术节点的量产需求。

　　在关键技术方面，该设备实现了多项自主研发突破。全石英腔体采用一体成型与密封技术，内部阻隔金属部件直接接触，构建超高纯环境，满足高端晶圆制造对金属污染零容忍的管控要求；同时攻克高温、低压耦合工况下腔体漏率漂移的难题，确保极端环境下腔内漏率稳定可靠。温控系统采用多温区复合式精密温控技术，实现对晶圆片内及片间温度场的精细化调控。精准智能化应用则通过在线热场仿真自主演算工艺温控曲线，调节硅片表面反应温度，满足晶圆片内及片间超高均匀性要求。

　　从性能表现看，该设备在高洁净度工艺环境、薄膜均匀性及运营成本方面均有提升。高洁净度全石英腔室结合原位智能清洗工艺，从设计源头抑制颗粒污染物产生，多维度保障晶圆表面洁净水平。晶圆片内及片间均匀性控制达到行业先进水平。运营方面，依托原位清洗工艺降低全石英腔体磨损损耗，减少维保工作量与人工投入，有效延长设备连续运行周期，助力客户产线降本增效。

　　当前，随着国内12英寸晶圆制造产能快速扩充，氮化硅工艺需求大幅攀升，传统腔体成膜工艺面临技术瓶颈。SICRIUS SN302D Ⅱ的推出精准匹配这一市场需求，有助于北方华创深度切入存储、先进逻辑、硅光集成、高端传感器等高景气赛道，系统性地提升其立式沉积装备在国际产业版图中的竞争力。

　　北方华创目前已构建涵盖氧化、退火、低压化学气相沉积、等离子体增强原子层沉积等核心工艺的全品类立式炉量产平台。公司方面表示，未来将持续深耕高端装备核心技术研发，以设备技术创新紧密匹配芯片制造迭代需求，承接客户多元化高端芯片制造需求。